致真存储(北京)科技有限公司(以下简称“致真存储”)成立于2019年7月,致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年,成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结,是国内首个80nm以下MRAM核心器件,其关键指标达到国际领先水平。自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线,实现产品全流程自主可
网址:www.truthmemory.com 0致真存储于2025年1月17日被收录在网站服务分类目录,相关信息来自互联网或网友分享!由于网站内容动态属性,时刻在变动,本站无法保证该网站的内容真实可靠!请大家查阅时,谨慎选择、自辩真伪,感谢您的理解与支持。如果您在访问(致真存储)时发现:网址失效或网站存在非法等相关内容,请及时联系我们处理。